Simulation des sogenannten µAmp's - LTspice Simulation ergibt völligen Unsinn

[Jh.Rivers]

Hallo an alle,

auf Grund von unterschiedlichen Auffassungen über die Funktionsweise in einer schon etwas längerer zurückliegenden Diskussion aus dem Bereich der Gitarren-/Musikelektronik zweier Physiker, hinsichtlich der Funktionsweise des sogenannten JFet-µAmps, hat sich im Vergleich einer realen µAmp-Schaltung mit zuvor ausgemessenen Bauteilen versus einer mit LTspiceXVII gerechneten/simulierten Schaltung gleicher Dimensionierung herausgestellt, daß die von LTspice ermittelten Ergebnisse absoluten Unsinn ergeben und für eine einigermaßen praxistaugliche Abschätzung nicht zu verwenden sind.

Näheres entnehme man den Kommentaren in der Datei JFET-µAmpJ202. Die Resultate sind m.E. nur als "ernüchternd" zu bezeichnen.

Das für die Berechnung implementierte Shichman-Hodges-Modell, das im übrigen im allgemeinen auch für die Simulation von MOSFET's verwendet wird, erscheint für die Berechnung von "Trickschaltungen" wie z.B. den JFet-µAmp nicht tauglich.
Auch sind die Parametersätze der Hersteller (in den Datenbanken fälschlicherweise als "Model" bezeichnet) mit alleräußerster Vorsicht zu genießen bzw. zu verwenden.
Inwieweit praxistaugliche Simulationsergebnisse für MOSFet's (im Analogbereich) sich mit LTspice generieren lassen sollte man im Einzelfall besser an einer real aufgebauten Schaltung nachmessen, i.e. prüfen.

Mit freundlichem Gruß,
Michael Hentschel, Diplom-Ingenieur

 

[Jh.Rivers]

Hallo Daniel - so war es doch, meine ich zumindest -

vielen Dank für das "Danke".

Ich habe den Sachverhalt auch dem Michael Engelhardt (aka Mike Engelhardt) von LTspice geschickt, mal hören, was der dazu so zu verlautbaren hat.

Das ist nun schon die zweite Schaltung bei mir, die in der realen Welt funktioniert, in der Simulation mit dem besten Simulationsprogramm - so zumindest Michael Engelhardt - aber kläglich versagt.

Bei der ersteren gab's die Ami-typischen Rückfragen, jedoch keine konkrete, verwertbare Rückantwort. Warten wir mal ab, was da wohl so kommen wird.

Gruß,
Micha

 

[Jh.Rivers]

Hallo Daniel,

bezugnehmend auf die Diskrepanzen beim JFET in der Simulation mit LTspice versus der Realität habe ich diesen Sachverhat dem "Director of simulation development LTspice" Herrn Michael Engelhardt ( aka Mike Engelhart) mitgeteilt.

Dessen Antwort ist wie folgt und kann einfach nur als ignorant und überheblich bezeichnet werden. Also eine Unverschämtheit.
________________________________________________________________
Probably the main problem is that you didn't draft it very well:
However, what you can rely on is that LTspice probably gave the correct answer and only your analysis, which I don't follow because your schematic is a mess, is in error.

--Mike
__________________________________________________________________
Gruß,
Micha

 

[spicer]

Hmm. Nicht gerade die Art des feinen englischen Mannes.

 

[Jh.Rivers]

AW: Simulation des sogenannten µAmp's - LTspice Simulation ergibt völligen Unsinn

Hallo Daniel,

auch der zweite Versuch mit einem von allen Kommentaren bereinigten Schaltplan wurde von Herrn Engelhardt mit folgendem Kommentar beantwortet:

Below is what the schematic looks like:
(in der Originalnachricht ist hier ein völlig korrekter Schaltplan zu sehen, bei dem lediglich die Texte viel zu groß abgebildet sind, was wie nachstehend beschrieben zu beheben wäre)
I can't read it because it is a mess.
Thank-you for you interest in LTspice.
--Mike

Da ich ganz genau weiß, daß der fließend Deutsch spricht, und lesen kann, schließlich kommt er aus Deutschland, ist als "Teenager" aus Deutschland nach USA gegangen, und als Entwickler dieses Programmes, sollte er doch wohl in der Lage sein - wenn das (der Schaltplan) auf SEINEM Bildschirm nicht richtig zur Anzeige gebracht wird - unter der in LTspice vorhandenen Registerkarte "Tools - Control Panel - Drafting Options - Font properties - Size" richtig einzustellen, oder erwarte ich da etwa zuviel? Das nenne ich dann Ignoranz, böse Absicht bzw. dann Vorsatz.

So ist eine konstruktive Bearbeitung des genannten Problems leider nicht möglich, und von Mr. Engelhardt wohl auch nicht gewünscht, da hier wohl jemand einen Gendefekt an seinem Baby detektiert hat. Schade eigentlich.

Dieses Verhalten hat doch mein Vertrauen in den Herrn Engelhardt und in die Verläßlichkeit seines Kindes "LTspiceIV/XVII" ganz erheblich reduziert.

Gruß,
Micha

 

[spicer]

Hmm, ob der immer so drauf ist....
Ich finde, man sollte froh sein, wenn gute Feedbacks kommen.
Von mir ein dickes Danke, dass Du so Sachen hier postest.

OT: Geiler Avatar hast

 

[Jh.Rivers]

Simulation JFET-Simulation reloaded

Hallo werter Admin Spicer, werte Forumsmitglieder.

Moglicherweise hat der eine oder andere den Disput wegen meinem „Thread“ Simulation des sogenannten µAmp's - LTspice Simulation ergibt völligen Unsinn mitbekommen, der zwischen dem Forumsmitglied JoeHill und mir am Freitag den 02.02.2018 auf die Tagesordnung gebracht wurde.

Ich hatte in diesem Zusammenhang meinem Kollegen, dem Diplom-Physiker Roland K. in München einen „Link“ weitergeleitet, den JoeHill in einem seiner Beiträge gebracht hatte. Und wie es manchmal halt so ist, fügt sich eine Sache zur anderen, und der hat mir aktuell heute eine brandheiße Nachricht zurück gesendet, aus der ich wie folgt zitiere:

„Einer meiner früheren Mitarbeiter (Anm.: den er wegen des JFET-Problems kontaktiert hatte), mein damals talentiertester Jungingenieur, dessen Frau bei INFINEON an IGBT-Modellen arbeitet, hat mir folgendes geschrieben:
„Meine Frau hat tatsächlich einen diskrete-Bauteile-Spezialisten ausfindig gemacht, der sich auch mit JFETs auskennt. Seine Aussage (Anm.: zur Simulation von JFET’s mit Spice-Programmen) kurz gefaßt:“

„Du hast vollkommen recht, das Verhalten des realen JFET-Bauteils ist tatsächlich wie von Dir beschrieben, und er kennt keine Simulation, die das korrekt abbildet, da die internen Algorithmen das nicht können, zumindest ganz sicher nicht Spice (Anm.: also auch nicht das laut Mike Engelhardt kostenlose und beste Simulationsprogramm dieses Planeten - Ltspice!)). Die einzige Lösung, die er sieht, ist selber programmieren…... vermutlich ist das aber keine Option.“

Soweit mein Kollege aus München bzw. der JFET-Spezialist von INFINEON.

Damit dürfte dann ein unabhängiger, unparteiischer, qualifizierter, kompetenter Fachmann aus dem Hause INFINEON die meisten Stellungnahmen des JoeHill zum Thema JFET-Berechnung mit Simulationsprogrammen (Spice und somit auch LTspiceXVII) ins rechte Licht gerückt haben.

Der betreffende Spezialist soll meinem Kollegen außerdem zugesagt haben, sich noch wieder per Email bei ihm zu melden. Nun denn, so warten wir ab, und harren der Dinge, die kurz-/ mittel- oder eben auch langfristig da auf uns zukommen werden. Ich werde dann ggf. wieder berichten.

Ich vermute jetzt, daß unser Admin Spicer auch diesen Beitrag als (Zitat) entmutigend/demoralisierend bezeichnen wird. Es tut mir leid Daniel, daß Du mit meinen kleinen Beiträgen in Deinem Forum immer wieder nur „was auf die Augen kriegst“. Mea culpa.

Gruß,
Michael

 

[Jh.Rivers]

Nachtrag

Und da hier schon in einem Beitrag eines Threads von Forumsmitglied JoeHill die "Büchse der Pandora" geöffnet worden ist, von wegen µAmp (Applikationsschaltung aus dem National Semiconductor Databook - heute TI - die im Netz herumgeistert) = SRPP (shunt regulated push pull)-Amplifier, möchte ich hier mal einen Beitrag aus dem "Tube CAD Journal" beifügen.

Die Schaltungen kann man übrigens auch durchaus mit Fets aufbauen; wer dazu Lust und Zeit hat. Ich hoffe die Unterschiede zu einem simplen JFET-µAmp treten dennoch so einigermaßen deutlich zu Tage, siehe PDF im Anhang.

Gruß,
Michael

 

[Jh.Rivers]

Zitat:
"I think LTspice does JFET right.
It follows the industry convention.
Maybe you just don't have a good JFET .model statement."

Das einzige, was man für eine Darstellung - zumindest für
die einer Idss-Ausgangskurve - braucht, ist das:

.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008 Lambda=.0004

und sonst gar nichts.
Der will mir doch nicht ernsthaft erzählen, das er das nicht weiß.

.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008, das ist der ohmsche Bereich

Lambda=.0004 und das ist die Steigung der Geraden, die sich danach anschließt.

"It follows the industry convention."

Insofern hat er Recht. Das sind ganz genau die besagten zwei Gleichungen, die man überall in der FET-Literatur findet.
_________________________________________________
eMail-Schriftverkehr mit Mike Engelhardt (LT)
---------------------------------------------------------------
Das nenne ich dann wahre Borniertheit, insofern aber auch schon ein Fortschritt, da er wenigstens nicht mehr behauptet hat, "your schematic is a mess".
_________________________________________________________

Betreff: Re: JFET Output curve
Datum: Mon, 19 Mar 2018 09:19:53 -0700
Von: Mike Engelhardt <ltspice@linear.com>
An: m.hentschel@cellcon-gmbh.de


I think LTspice does JFET right. It follows the industry convention. Maybe you just don't have a good JFET .model statement.


On 3/19/2018 4:36 AM, Michael Hentschel wrote:
> Hello Mr. Engelhardt,
>
> regardless, which JFET-Type you take, the principal result is always the same,
> and it is not corresponding with the output curve of a real world JFET.
>
> The implemented algorythm (model) for a JFET in this software can't be correct.

in der Originalnachricht befand sich hier der Bildschirmausdruck einer Simulationsrechnung mit einem J201-NJFET

> Kind regards,
> M. Hentschel
>

--
Mike Engelhardt
Director of Simulation Development
www.analog.com www.linear.com
Linear Technology is now part of Analog Devices.

 

[Jh.Rivers]

AW: Simulation des sogenannten µAmp's - LTspice Simulation lergibt völligen Unsinn

Zitat:
"I think LTspice does JFET right.
It follows the industry convention.
Maybe you just don't have a good JFET .model statement."

Das einzige, was man für eine Darstellung - zumindest für
die einer Idss-Ausgangskurve - braucht, ist das:

.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008 Lambda=.0004

und sonst gar nichts.
Der will mir doch nicht ernsthaft erzählen, das er das nicht weiß.

.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008, das ist der ohmsche Bereich

Lambda=.0004 und das ist die Steigung der Geraden, die sich danach anschließt.

"It follows the industry convention."

Insofern hat er Recht. Das sind ganz genau die besagten zwei Gleichungen, die man überall in der FET-Literatur findet.
_________________________________________________
eMail-Schriftverkehr mit Mike Engelhardt (LT)
---------------------------------------------------------------
Das nenne ich dann wahre Borniertheit, insofern aber auch schon ein Fortschritt, da er wenigstens nicht mehr behauptet hat, "your schematic is a mess".
_________________________________________________________

Betreff: Re: JFET Output curve
Datum: Mon, 19 Mar 2018 09:19:53 -0700
Von: Mike Engelhardt <ltspice@linear.com>
An: m.hentschel@cellcon-gmbh.de


I think LTspice does JFET right. It follows the industry convention. Maybe you just don't have a good JFET .model statement.


On 3/19/2018 4:36 AM, Michael Hentschel wrote:
> Hello Mr. Engelhardt,
>
> regardless, which JFET-Type you take, the principal result is always the same,
> and it is not corresponding with the output curve of a real world JFET.
>
> The implemented algorythm (model) for a JFET in this software can't be correct.

in der Originalnachricht befand sich hier der Bildschirmausdruck einer Simulationsrechnung mit einem J201-NJFET

> Kind regards,
> M. Hentschel

--
Mike Engelhardt
Director of Simulation Development
www.analog.com www.linear.com
Linear Technology is now part of Analog Devices.

 

[Tinker]

AW: Simulation des sogenannten µAmps - LTspice Simulation ergibt völligen Unsinn

So generell vermute ich mal, dass es ein besserer Ansatz wäre, zu zeigen, dass eine andere Simulations-Software es besser macht als LTspice. Aus mathematischer Sicht ist ja nur wichtig, dass LTspice die Modelle richtig auswertet. Wie gut die Modelle sind ist ja (ohne Statistiken oder Alternativen) eher eine Grauzone bezüglich Beweisbarkeit...

 

[Jh.Rivers]

Tja, das ist ja eben ganz genau das Problem, da alles sich irgendwie auf das "Ur-Spice" bezieht, läßt sich der JFET auf Grund der implementierten Algorithmen in Spice-Programmen eben nicht simulieren, so auch ein Experte diskreter Bauelemente / JFET's von Infineon.

 

[Tinker]

AW: Simulation des sogenannten µAmps - LTspice Simulation ergibt völligen Unsinn

Das nächst bessere wäre dann möglicherweise, mit einem nicht-SPICE-Simulator zu vergleichen (z. B. Demo-Versionen runterladen) oder ein verbessertes, veröffentlichtes Modell zu finden (z. B. den Zitierungen des laut Hilfe implementierten Modells folgen).
Mike implementiert ja wahrscheinlich nur die Modelle (und schraubt vielleicht ein bisschen dran rum, damits besser aussieht), aber veröffentlicht keine selbst, also fühlt er sich dafür auch nicht verantwortlich...

 

[Jh.Rivers]

Hallo Tinker,

das Problem - vereinfacht ausgedrückt - sind im Prinzip doch diese beiden vereinfachten Gleichungen (Näherungsgleichungen?), die man überall in der gängigen FET-Literatur findet, hier nachfolgend für die Syntax von LTspice angepaßt:

Id~Idss*(1-(Ugs/Vto))² Uds<|Vto| ohmscher, linearer Bereich
Id~Idss*(1-(Ugs/Vto))²*(1+Lambda*Uds) Uds>|Vto| Sättigungsbereich
Mit Vto = SQRT(Idss/Beta)
Id~Idss*(1-(Ugs/SQRT(Idss/Beta)))² Uds<|Vto| ohmscher, linearer Bereich
Id~Idss (1-(Ugs/SQRT(Idss/Beta)))² (1+Lambda*Uds) Uds>|Vto| Sättigungsbereich

Die hat man als Modell in diese Spice-Programme so implementiert. Der Umschaltpunkt in der Berechnung/Simulation ist dann, wenn Uds=|Vto|. Was man in der Bibliothek von z.B. LTspice, oder eben auch im Netz bei den Herstellern dann findet, sind nicht die Modelle, sondern die Parametersätze, die das implementierte Model zur Berechnung des FET’s dann „bedienen“. Und da liegt wohl offensichtlich dann auch die Krux, bzw. der Hase dann im Pfeffer, bei der Berechnung/Simulation des JFET’S mit diesen Simulationsprogrammen.

Das implementierte „Shichman-Hodges-Modell“ (oder meinetwegen eben auch die implementierten Algorithmen) ist dafür nach Aussage diverser von mir befragter Experten (u.a. Uni-Dozenten und eines Experten für JFET’s / MOSFET’s / diskreter Bauelemente von INFINEON) ungeeignet, für eben die Simulation von JFET’s.

Daß das so nicht stimmen kann, zeigt doch die Ausgangskennlinie des simulierten FET’S, und das ist bei allen JFET’S aus der LTspice –Bibliothek dann auch gleich falsch! Ergo kann das verwendete Modell doch gar nicht passen. Das lässt sich doch blitzschnell mit dem Simulationsergebnis anhand der Schaltung/Bild in einem vorigen Beitrag von mir unschwer erkennen. Wer mal mit einem realen FET bei UGS=0V eine IDSS-Ausgangskennlinie aufnimmt/aufgenommen hat, der sieht doch sofort die Unterschiede. Zwischen der Realität und der Simulation.

Ich zitiere Herrn Mike Engelhardt nochmals:
“I think LTspice does JFET right. It follows the industry convention. Maybe you just don't have a good JFET .model statement.”

Ich zitiere mich nochmals aus einem meiner vorigen Beiträge:
Das einzige, was man für eine Darstellung - zumindest für
die einer Idss-Ausgangskurve - braucht, ist das:
.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008 Lambda=.0004
und sonst gar nichts.
Der will mir doch nicht ernsthaft erzählen, das er das nicht weiß.
.model J201 njf Vto=-.94 Beta=0.0008, das ist der ohmsche Bereich
Lambda=.0004 und das ist die Steigung der Geraden, die sich danach
anschließt.
"It follows the industry convention."
Insofern hat er Recht. Das sind ganz genau die besagten zwei Gleichungen,
die man überall in der FET-Literatur findet.
Ob der vielleicht noch nie einen realen FET gesehen oder hinsichtlich seiner
Idss-Ausgangskennlinie vermessen hat? Zitatende

Dazu hat ein Kollege von mir, dem ich die Antwort von Herrn Engelhardt gleichfalls habe zukommen lassen, sich dann wie folgt geäußert:
Zitat:
„Engelhardt ist entweder ein unglaublich arroganter Ignorant oder er darf aus firmenpolitischen Gründen keine Schwächen von LTSpice eingestehen. Ich vermute außerdem, dass er einfach wenig Ahnung von JFets und diskreter, analoger Schaltungstechnik hat." Zitatende

Gruß,
Michael Hentschel

 

[spicer]

Mich würde interessieren, was Tina pro bei den gleichen JFETs errechnet.

 

[Jh.Rivers]

Hallo Daniel,

lange nichts von Dir gehört.
Zum Thema:
Ich denke, Du kannst Dir an zwei Fingern ausrechnen, daß da im Zweifelsfall auch nichts anderes zu erwarten ist. Vermutlich dürften die Ergebnisse in LTspice noch besser sein, da, wie Mike Engelhardt - ich habe's mit eigenen Ohren gehört - ja behauptet, LTspice sei ja das beste Simulationsprogramm der Welt; und dazu dann auch noch kostenlos.

Gruß,
Micha

 

[Helmholtz]

Hallo zusammen,

Spicer hat mir vorgeschlagen, mal selbst eine Zusammenfassung meiner Erkenntnisse zu JFet-Simulationsmodellen hier zu posten, was ich hiermit tue:

Es gibt in LTspice nur ein einziges, internes JFet-Rechenmodell, das für alle JFet-Typen verwendet wird und die generellen Bauteileigenschaften in der Simulation erzeugt. Die sog. Spice-Bauteilmodelle, wie sie z.B. von Herstellern veröffentlicht werden, sind in Wahrheit keine Modelle (also Ersatzschaltungen) sondern lediglich Parametersätze, mit denen das generelle Spicemodell an die unterschiedlichen Typen angepasst wird.

Dieses parametrisierbare JFet-Spicemodell basiert auf Arbeiten von Shichman und Hodges, anno 1968. In deren Veröffentlichung geht es aber gar nicht um JFets, sondern sie beschreibt das erste, primitivste Mosfet-Modell (Level 1) für Spice. Das Modell besteht aus verknüpften, parametrisierten Gleichungen für die Ströme und Spannungen auf Basis eines empirischen Ersatzschaltbildes.
Wann und von wem (Berkeley?) die Gleichungen dieses Mosfet-Modells für die Verwendung bei JFets modifiziert wurden, konnte ich nicht eruieren.
Die Mosfet-Modelle wurden im Laufe der Zeit erweitert und verbessert, wohl auf Druck der Industrie und um unterschiedlichen Technologien Rechnung zu tragen.
Das JFet-Modell hingegen wurde offenbar nie überarbeitet, vermutlich weil die kommerzielle Bedeutung von JFets zu gering ist, um den erforderlichen Aufwand zu rechtfertigen. Dabei hat dieses Modell erhebliche prinzipielle Defizite, wovon sich jeder überzeugen kann, indem er die Spice-Kennlinien mit denen realer JFets vergleicht. Hierzu muss man nicht einmal selbst messen – es genügt ein Blick auf die Ausgangskennlinien in den Datenblättern. Anders als bei Spice gibt es keinen Knick zwischen Ohmschem und Abschnürbereich und die Kennlinien bleiben immer mehr oder weniger gekrümmt. Diese prinzipiellen Unterschiede lassen sich nicht durch Änderung/Anpassung der Modellparameter beheben, sondern sind im Gleichungsansatz begründet.
Als Konsequenz liefert die Simulation bei manchen Anwendungen unrealistische bzw. falsche Ergebnisse. Und zwar insbesondere bei Schaltungen, in denen sich die endliche Ausgangsimpedanz (rds) bemerkbar macht und/oder wenn die Drain-Source-Spannung bei großer Aussteuerung den Abschnürbereich (zeitweise) verlässt. Bei Verstärkerschaltungen weichen dann Verstärkungsfaktor, dessen Abhängigkeit von Vds, sowie Verzerrungen deutlich von der Realität ab. So erzeugt der echte Fet nicht nur durch seine quadratische Steuerkennlinie Verzerrungen sondern auch durch die Spannungsabhängigkeit von rds. Letztere kennt die Simulation nicht. Andererseits liefert die Simulation wegen des (falschen) Kennlinienknicks im Modell ein unrealistisch hartes Clipping, wenn man bis in den Ohmschen Bereich durchsteuert.

Brauchbare Simulationsergebnisse kann man hingegen mit an die individuellen Fets angepassten Parametern beim DC-Arbeitspunkt, bei kleinem D-S-Spannungshub und bei rel. niederohmiger (im 1k-Bereich) D-S-Last erzielen.
Um das Modell zu verbessern, müsste nicht nur eine Methode gefunden werden, den Steigungsparameter Lambda spannungsabhängig zu gestalten, sondern auch der Übergang zwischen Ohmschem und Abschnürbereich den echten Bauteilen entsprechend verrundet werden. Die existierenden Modellgleichungen bieten solche Eingriffsmöglichkeiten per se nicht.

Ich habe einen erfahrenen Modellexperten aus der Halbleiterentwicklung bei Infineon gefunden, der mir meine obigen Egebnisse/Erkenntnisse bestätigen konnte. Die Probleme waren ihm von seiner Beschäftigung mit JFets vertraut. Eine Verbesserung/Überarbeitung des Shichman-Hodges-Modells für JFets ist ihm nicht bekannt. Auch wird der tatsächliche, gekrümmte Kennlinienverlauf offenbar in der gesamten Fachliteratur nirgends thematisiert.
In der Halbleiterentwicklung werden proprietäre physikalische Modelle entwickelt und verwendet. Diese arbeiten nicht mit den Shichman-Hodges-Gleichungen sondern basieren auf 3-dimensionalen Berechnungen/Simulationen der Feld- und Ladungsträgerverteilung im Halbleiter. Sie werden für die eigene Bauteilentwicklung genutzt und nur speziellen Kunden (vermutlich als „Black Box“) zur Verfügung gestellt.

Mike Engelhardt, der Entwicklungsleiter für Simulation bei Linear Technology streitet die Unzulänglichkeiten des Modells kategorisch ab. Von dieser Seite ist daher keine Abhilfe zu erwarten.

Helmholtz, ein Physiker

 

[Jh.Rivers]

Werter Helmholtz,

sei bedankt für die Deinige Unterstützung.
Endlich bin ich nicht mehr allein.

Und so wie immer, wie von Dir gewohnt, ist
Dein Beitrag exzellent aufgebaut und formuliert.

Da hat meiner einer welcher doch gewisse Defizite.

Gruß,
Micha

 

[Jh.Rivers]

Mich würde interessieren, was Tina pro bei den gleichen JFETs errechnet.

Hallo Spicer, Tinker und Helmholtz,

nach langer Zeit und schweren Kämpfen mit der Elektronik auf der Arbeit, habe ich mal wieder etwas Zeit gehabt, um einen Vorschlag vom Spicer (Daniel), sowie von einem weiteren Forums-Mitglied von ltspiceusers.ch - Tinker - aufzugreifen, und den real existierenden NJFET J201, mit den von Helmholtz zur Verfügung gestellten Werten, mit dem Simulationsprogram TINA-TI gerechnet.

Wie von mir erwartet - und dem Daniel auch bereits prognostiziert, ergibt sich derselbe/ der gleiche Murks, was aber auch im Grunde nicht anders zu erwarten gewesen ist, und somit einen auch nicht wundern sollte. Zumindest mich nicht. Insofern hat der Mike Engelhardt dann ja Recht, "it follows the industrial convention". Wenn's denn so reicht............

Das IC (Op TL071) in der nachfolgenden Schaltung ist zwar nicht notwendig für die Analyse des NJFET, aber unsinnigerweise eine zwingende Forderung vom Programm das mindest ein IC in der Schaltung vorhanden sein muß, sonst rechnet es nämlich nicht.

Weiß auch nicht, was der Käse denn nun soll. Ist wohl eine Forderung von TI es so zu machen.

Man beachte die nachfolgenden, im Anhang beigefügten Simulationsergebnisse, sowie die Simulationsschaltung. Hat irgendwie abermals wenig mit der Kennlinie Idss=f(Ud) eines real existierenden NJFET gemeinsam. Das dritte Bild ist ein vergrößerter Ausschnitt des zweiten Bildes, sonst nichts.

Und, obwohl es im Grunde überflüssig ist, es nochmals zu erwähnen, dennoch nochmals der Vollständigkeit & Ordnung halber:
Es dürfte nunmehr auch für den letzten Kritiker wohl kein Zweifel mehr daran bestehen, daß der ehrenwerte "JoeHill" wiederum und endgültig wiederlegt worden ist.

Gruß,
Jh. Rivers

P.S.: Es dürfte somit mit an Sicherheit grenzendender Wahrscheinlichkeit auch von keinem anderen kommerziell genutzten Simulationsprogramm (z.B. PSpice, Zetex, Multisim Blue etc.) andere Ergebnisse hinsichtlich der Berechnung eines JFET's zu erwarten sein.

 

[Jh.Rivers]

Hallo Spicer, Tinker und Helmholtz,
....................................
....................................
P.S.: Es dürfte somit mit an Sicherheit grenzendender Wahrscheinlichkeit auch von keinem anderen kommerziell genutzten Simulationsprogramm (z.B. PSpice, Zetex, Multisim Blue etc.) andere Ergebnisse hinsichtlich der Berechnung eines JFET's zu erwarten sein.

So liebe Leute, werte Forumsmitglieder,

der Vollständigkeit halber habe ich das von dem Zetex-Simulationsprogramm (Diodes Semiconductor / On-Semiconductor) für zwei verschiedene JFET-Transistoren 2N3819 / U404 auch noch mal rechnen lassen (allerdings weiß ich nicht welche Parametersätze für diese Bauelemente im Programm / Datenbank hinterlegt sind, da mir nicht bekannt ist, wie und ob ich da so ohne weiteres herankomme, was letzlich auch egal ist). Es ist unschwer zu erkennen, daß wiederum der gleiche, bekannte und somit qualitativ falsche Verlauf der Idss=f(Uds)-Kennlinie ermittelt bzw. dargestellt wird; womit ich dann meine Prognose aus meinem vorstehenden Beitrag hinreichend bewiesen haben dürfte.

Auf weitere Rechnungen mit z.B PSpice8, Multisim Blue von National-Instruments und einem weiteren von QUQS, über die ich auch noch verfüge, wird hiermit dann verzichtet.

Die Aussage des Bauteilspezialisten von Infineon, der vom Mitglied Helmholtz erwähnt wurde, gilt dann hiermit als verifiziert. Kein konventionelles, frei auf dem Markt erhältliches Spice-/Simulationsprogramm rechnet JFET'S richtig!

Gruß,
Jh.Rivers