
Hallo nochmals an alle,
nachdem ich mal wieder etwas Zeit gehabt habe, mich mit Elektronik zu beschäftigen - anstatt mich mit unsinnigen Arbeiten auseinandersetzen zu müssen - habe ich mir noch mal kurz den JFet in der Simulation mit LTspice vorgenommen.
Fazit:
JFET's können a.G. des implementierten Shichman-Hodges Modells mit LTspice nicht vernünftig simuliert/gerechnet werden, (was man von Herstellern herunterladen kann, sind keine Modelle, sondern die Parametersätze für die Modelle!!!), außer im linearen Bereich der Idss=f(uds)-Kennlinie, d.h. 0<=Uds<=Ugs-Up gilt.
Die so ermittelte Kennlinie weist nach dem ohmschen (linearen) Bereich im Stromquellenbereich oder auch Sättigungsbereich, es gilt 0<=Ugs-Up<=Uds, einen scharfen Knick mit einer im Sättigungsbereich linear ansteigenden Geraden auf, den reale FET's nicht haben. D.h. der Übergang vom ohmschen zum Stromquellen-/Sättigungsbereich erfolgt genau dann, wenn zwischen Gate und Drain der Spannungswert von Up auftritt, Ugd = Up. Totaler Murks bei der Simulation.
Der für die im Anhang beigefügte asc-Datei verwendete Parametersatz wurde bei Fairchild/On-Semiconductor heruntergeladen und durch die Werte eines ausgemessenen, real existierenden JFET's optimiert bzw. angepaßt. Die Unterschiede sind eklatant. Das zum Vergleich vorgesehene PDF für den Anhang ließ sich leider nicht hochladen.
Freundlichen Gruß,
Michael Hentschel
nachdem ich mal wieder etwas Zeit gehabt habe, mich mit Elektronik zu beschäftigen - anstatt mich mit unsinnigen Arbeiten auseinandersetzen zu müssen - habe ich mir noch mal kurz den JFet in der Simulation mit LTspice vorgenommen.
Fazit:
JFET's können a.G. des implementierten Shichman-Hodges Modells mit LTspice nicht vernünftig simuliert/gerechnet werden, (was man von Herstellern herunterladen kann, sind keine Modelle, sondern die Parametersätze für die Modelle!!!), außer im linearen Bereich der Idss=f(uds)-Kennlinie, d.h. 0<=Uds<=Ugs-Up gilt.
Die so ermittelte Kennlinie weist nach dem ohmschen (linearen) Bereich im Stromquellenbereich oder auch Sättigungsbereich, es gilt 0<=Ugs-Up<=Uds, einen scharfen Knick mit einer im Sättigungsbereich linear ansteigenden Geraden auf, den reale FET's nicht haben. D.h. der Übergang vom ohmschen zum Stromquellen-/Sättigungsbereich erfolgt genau dann, wenn zwischen Gate und Drain der Spannungswert von Up auftritt, Ugd = Up. Totaler Murks bei der Simulation.
Der für die im Anhang beigefügte asc-Datei verwendete Parametersatz wurde bei Fairchild/On-Semiconductor heruntergeladen und durch die Werte eines ausgemessenen, real existierenden JFET's optimiert bzw. angepaßt. Die Unterschiede sind eklatant. Das zum Vergleich vorgesehene PDF für den Anhang ließ sich leider nicht hochladen.
Freundlichen Gruß,
Michael Hentschel
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