Toshiba 2SK170 N-Channel (8 Idss/Vp Varianten)

[JoeHill]

Modell für: Toshiba 2SK170BL N-Channel, Low-Noise, High gm, Audio JFET
IDSS bei VDS=10V: c.a. 12mA
created unofficially 2016 by JoeHill for www.LTspiceusers.ch

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Das JFET-Modell ist in zeitintensiver Arbeit nach dem ​

offiziellen Datasheet selbst erstellt und auch ausgiebig getestet worden. ​

Wir zeigen und fordern dafür Respekt, deshalb:​

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Copyright Hinweise:

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Du darfst das Paket frei verteilen. Es ist nicht erlaubt das Paket oder seinen Inhalt zu verändern. Wenn Du das Paket weitergibst, gib es unverändert weiter. Wenn Du vorbildlich sein möchtest, dann verlinkst Du gleichzeitig auf unser Forum und/oder diesen Thread. Danke.

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[JoeHill]

Idss=10mA

Modell für: Toshiba 2SK170BL N-Channel, Low-Noise, High gm, Audio JFET
IDSS bei VDS=10V: c.a. 10mA
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[JoeHill]

Idss=8mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 8mA
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Idss=6mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 6mA
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Idss=4mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 4mA
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Idss=2mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 2mA
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Idss=15mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 15mA
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Idss=20mA

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IDSS bei VDS=10V: c.a. 20mA
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[JoeHill]

Update​

Alle Modelle wurden nochmal überarbeitet. Wir können nun ein Plus an Genauigkeit bei folgenden Eigenschaften vorweisen:

1. Gate Leakage "Igsx" - nachdem ich den ISR Parameter verstanden (mißbraucht?) habe, sieht der Plot wesentlich realitätsnaher aus. Ich habe ISR negativ gesetzt.

2. Lambda (Early-Effect) - Minimale Anpassung (von .005 auf .007) - der Early Effekt wurde somit etwas akzentuiert.

3. Drain/Source ohmic resistance: Dies ist eigentlich (so habe ich es verstanden) nicht viel mehr als ein kleiner Skalar. Durch Finetuning kann man Idss minimal anpassen. Ich habe versucht, die Werte einigermaßen sinnvoll zu schätzen. Die Werte verändern sich je nach Idss-Typ

4. Alpha - Dies ist der Parameter, welcher die Steigung der Gate-Verluste mit der Gate-Drain-Voltage definiert. Hier wurde Fine-Tuning betrieben. Der Parameter ist wichtig für Igsx

5. VK - Dieser Parameter steht für Gate/Drain Impact-Ionization Knee Voltage - wichtig für Igsx - Definiert (mit) die Steigung der Gate-Verluste mit der Gate-Drain-Voltage

Das Modell müsste mittlerweile wirklich hinreichend genau sein.