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Modell für: Valvo AC128 PNP Germanium Transistor (+ Datasheet from 1963)
hFE: c.a. 100
Leakage Ieco: c.a. 300uA
Modell ist nur gültig für Basisströme Ib<2mA bzw. Kollektorströme Ic<200mA
Model is only valid for Base-currents Ib<2mA / Collector-currents Ic<200mA
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Modell für: Toshiba 2SK117-Y N-Channel, Low-Noise, High gm, Audio JFET ("small 2SK170" / "kleiner 2SK170")
IDSS bei VDS=10V: c.a. 1mA
created unofficially 2016 by JoeHill for www.LTspiceusers.ch
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Das JFET-Modell...
Modell für: Toshiba 2SK30A-R N-Channel, Low-Noise, Low gm, Audio JFET
IDSS bei VDS=10V: c.a. 500uA
created unofficially 2016 by JoeHill for www.LTspiceusers.ch
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Das JFET-Modell ist in zeitintensiver Arbeit nach dem...
Modellieren von komplexen Widerständen/Impedanzen
Einleitung:
In diesem Artikel geht es um fortgeschrittene Modellierung von Widerständen/Impedanzen. Im analogen Bereich hat man z.B. sehr oft mit Frequenzgängen, Spannungs-/Stromabhängigkeiten und parasitären Phänomenen zu tun.
Ein Widerstand...
[Thread geschlossen]
Neue, realistischere und besser getestete modelle gibt es hier:
https://www.ltspiceusers.ch/threads/toshiba-2sk117-n-channel-9-idss-vp-varianten.162/#post-282
Modell für: Toshiba 2SK170BL N-Channel, Low-Noise, High gm, Audio JFET
IDSS bei VDS=10V: c.a. 12mA
created unofficially 2016 by JoeHill for www.LTspiceusers.ch
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Das JFET-Modell ist in zeitintensiver Arbeit nach...